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碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 = = Simulation...

林暐智

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博客來

碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 = = Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 =/ 林暐智撰
其他題名:	Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure /
其他題名:	Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure
作者:	林暐智
其他作者:	劉耿銘
出版者:	花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系, : 2023,
面頁冊數:	82面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期:2025/11/23
標題:	4H-SiC -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610923015.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 = = Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure /
林暐智

碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 =Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure /Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure林暐智撰 - 花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系, 2023 - 82面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期:2025/11/23

碩士論文--國立東華大學電機工程學系, 2023

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3740572
4H-SiC

碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 = = Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure /
LDR:01104nam a2200241 4500 001 2382890
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100 1 $a 林暐智 $e 撰 $3 3740571
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246 3 1 $a Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure
260 # $a 花蓮縣 : $b 國立東華大學電機工程學系, $c 2023
300 $a 82面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期:2025/11/23
500 $a 校外電子全文開放日期:2025/11/23
500 $a 國圖全文開放日期:2025/11/23
500 $a 畢業學年度:112
500 $a 指導教授:劉耿銘
502 $a 碩士論文--國立東華大學電機工程學系, 2023
504 $a 含參考書目
650 # 7 $a 4H-SiC $2 lcstt $3 3740572
650 # 7 $a 半導體元件模擬 $2 lcstt $3 3582154
650 # 7 $a Edge Termination $2 lcstt $3 3740573
650 # 7 $a 場環 $2 lcstt $3 3740574
650 # 7 $a PN Junction $2 lcstt $3 3740575
650 # 7 $a 崩潰電壓 $2 csht $3 2682851
650 # 7 $a 濃度梯度 $2 lcstt $3 3740576
650 # 7 $a Technology Computer Aided Design $2 lcstt $3 3740577
650 # 7 $a Field Ring $2 lcstt $3 3740578
650 # 7 $a Breakdown Voltage $2 lcstt $3 3740579
650 # 7 $a Doping Gradient $2 lcstt $3 3740580
650 # 7 $a Aided Design $2 lcstt $3 3743749
700 1 # $a 劉耿銘 $e 指導 $3 3034072
700 1 # $a Liu, Keng-Ming $e 指導 $3 3382032
856 4 0 $u http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610923015.id&searchmode=basic $z 電子全文(依作者授權而定)