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概要
書目資訊
主題
4H-SiC
概要
作品:
2 作品在 2 項出版品 2 種語言
書目資訊
碳化矽邊緣終結結構之摻雜濃度梯度效應之模擬 = = Simulation of doping concentration gradient effect on silicon carbide edge termination structure /
by:
(書目-語言資料,印刷品)
1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
by:
(書目-語言資料,印刷品)
主題
半導體元件模擬
Technology Computer Aided Design
導通電阻
品質因數(BFOM)
Aided Design
Superjunction
Semiconductor device simulation
4H-SiC
on-resistance
Edge Termination
Doping Gradient
場環
PN Junction
濃度梯度
Breakdown Voltage
Field Ring
figure of merit (BFOM)
崩潰電壓
DMOSFET
breakdown voltage
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