語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
回圖書館首頁
手機版館藏查詢
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳...
~
鄭宇伶
FindBook
Google Book
Amazon
博客來
1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:
1.2 kV 4H :/ 鄭宇伶撰
其他題名:
碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
其他題名:
Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET
作者:
鄭宇伶
其他作者:
劉耿銘
出版者:
花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系碩士班, : 2024,
面頁冊數:
78面 :圖,表 ;30公分
附註:
校內電子全文開放日期:2029/09/18
標題:
半導體元件模擬 -
電子資源:
http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610923001.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)
1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
鄭宇伶
1.2 kV 4H :
碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET鄭宇伶撰 - 花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系碩士班, 2024 - 78面 :圖,表 ;30公分
校內電子全文開放日期:2029/09/18
碩士論文--國立東華大學電機工程學系碩士班, 2024
含參考書目Subjects--Topical Terms:
3582154
半導體元件模擬
1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
LDR
:01099nam a2200241 4500
001
2383296
008
250601s2024 ch ak e m z000 0 chi d
020
$q
(平裝)
040
$a
NDHU
$b
chi
$c
NDHU
$d
NDHU
$e
ccr
041
0 #
$a
chi
$b
chi
$b
eng
066
$c
$1
084
$a
448.6
$2
ncsclt
100
1
$a
鄭宇伶
$e
撰
$3
3743150
245
1 0
$a
1.2 kV 4H :
$b
碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
$c
鄭宇伶撰
246
3 1
$a
Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET
260
#
$a
花蓮縣 :
$b
國立東華大學電機工程學系碩士班,
$c
2024
300
$a
78面 :
$b
圖,表 ;
$c
30公分
500
$a
校內電子全文開放日期:2029/09/18
500
$a
校外電子全文開放日期:不公開
500
$a
國圖全文開放日期:不公開
500
$a
畢業學年度: 112
500
$a
指導教授: 劉耿銘
502
$a
碩士論文--國立東華大學電機工程學系碩士班, 2024
504
$a
含參考書目
650
# 7
$a
半導體元件模擬
$2
lcstt
$3
3582154
650
# 7
$a
4H-SiC
$2
lcstt
$3
3740572
650
# 7
$a
DMOSFET
$2
lcstt
$3
3534114
650
# 7
$a
Superjunction
$2
lcstt
$3
3743151
650
# 7
$a
導通電阻
$2
lcstt
$3
3582157
650
# 7
$a
崩潰電壓
$2
csht
$3
2682851
650
# 7
$a
品質因數(BFOM)
$2
lcstt
$3
3743152
650
# 7
$a
Semiconductor device simulation
$2
lcstt
$3
3743153
650
# 7
$a
on-resistance
$2
lcstt
$3
3743154
650
# 7
$a
breakdown voltage
$2
lcstt
$3
3582159
650
# 7
$a
figure of merit (BFOM)
$2
lcstt
$3
3743155
700
1 #
$a
劉耿銘
$e
指導
$3
3034072
700
1 #
$a
Liu, Keng-Ming
$e
指導
$3
3382032
856
4 0
$u
http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610923001.id&searchmode=basic
$z
電子全文(依作者授權而定)
筆 0 讀者評論
館藏地:
全部
壽豐校區(SF Campus)
出版年:
卷號:
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
GE0220891
壽豐校區(SF Campus)
01.外借(書)_YB
本校碩士論文
T 448.6 8732 2024
一般使用(Normal)
編目處理中
0
1 筆 • 頁數 1 •
1
多媒體
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館
處理中
...
變更密碼
登入