1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳...
鄭宇伶

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  • 1.2 kV 4H : = 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 1.2 kV 4H :/ 鄭宇伶撰
    其他題名: 碳化矽超接面雙重擴散金氧半場效電晶體設計最佳化之模擬 =Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET /
    其他題名: Simulation of the design optimization of 1.2 kV 4H-SiC superjunction DMOSFET
    作者: 鄭宇伶
    其他作者: 劉耿銘
    出版者: 花蓮縣 :國立東華大學電機工程學系碩士班, : 2024,
    面頁冊數: 78面 :圖,表 ;30公分
    附註: 校內電子全文開放日期:2029/09/18
    標題: 半導體元件模擬 -
    電子資源: http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610923001.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)
館藏地:  出版年:  卷號: 
館藏
  • 1 筆 • 頁數 1 •
 
GE0220891 壽豐校區(SF Campus) 01.外借(書)_YB 本校碩士論文 T 448.6 8732 2024 一般使用(Normal) 編目處理中 0
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